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我公司本月完成对部分低噪声放大器、移相器、衰减器、开关等芯片的优化改进,现已正式发布,可申请样品。

其中2-4GHz低噪声放大器的噪声系数低至0.55dB;

2.7-3.5GHz移相器的移相精度均方根低至1°;

DC-20GHz以内衰减器的衰减精度均方根低至0.2dB;

DC-12GHz开关芯片的插入损耗低至0.9dB。

这些指标都已经达到了国内外现有同类型产品的领先水平。

噪声系数

图1 HG113FC-2 低噪声放大器芯片


HG113FC-22-4GHz低噪声放大器芯片

该芯片噪声系数低至0.55dB,增益为29.5dB,1dB压缩点输出功率为12dBm,功耗低,电压为5V,电流30mA。

尺寸为1.85mm×1.2mm×0.1mm。


移相精度均方根

图2  HG163YA-3型六位数控移相器芯片


HG163YA-3型2.7-3.5GHz六位数控移相器芯片

该芯片的移相精度均方根低至1°,其插入损耗为4.5dB,集成控制驱动功能。

尺寸为3.08mm×1.23mm×0.1mm。




衰减精度均方根

图3  HG165S-5六位数控衰减器芯片 


 HG165S-5DC-20GHz六位数控衰减器芯片

该芯片的衰减精度均方根已低至0.2dB,插入损耗为4.5dB,集成控制驱动功能。

尺寸为2mm×1.11mm×0.1mm。


衰减精度均方根 

     

插入损耗

图4  HG166SB-1 型六位数控衰减器芯片 


HG166SB-1DC-6GHz六位数控衰减器芯片 

该芯片的衰减精度均方根已低至0.25dB,插入损耗低至1.5dB,集成控制驱动功能。

尺寸为1.83mm×1.04mm×0.1mm。




插入损耗

图5 HG125KA-1型反射式单刀双掷开关


HG125KA-1DC12GHz反射式单刀双掷开关芯片

该芯片插入损耗小于0.9dB,隔离度高达50dB。

尺寸为1.28mm×1.26mm×0.1mm。




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