我公司本月完成对部分低噪声放大器、移相器、衰减器、开关等芯片的优化改进，现已正式发布，可申请样品。

其中2-4GHz低噪声放大器的噪声系数低至0.55dB；

2.7-3.5GHz移相器的移相精度均方根低至1°；

DC-20GHz以内衰减器的衰减精度均方根低至0.2dB；

DC-12GHz开关芯片的插入损耗低至0.9dB。

这些指标都已经达到了国内外现有同类型产品的领先水平。

噪声系数

图1 HG113FC-2 型低噪声放大器芯片

HG113FC-2型2-4GHz低噪声放大器芯片

该芯片噪声系数低至0.55dB，增益为29.5dB，1dB压缩点输出功率为12dBm，功耗低，电压为5V，电流30mA。

尺寸为1.85mm×1.2mm×0.1mm。

移相精度均方根

图2  HG163YA-3型六位数控移相器芯片

HG163YA-3型2.7-3.5GHz六位数控移相器芯片

该芯片的移相精度均方根低至1°，其插入损耗为4.5dB，集成控制驱动功能。

尺寸为3.08mm×1.23mm×0.1mm。

衰减精度均方根

图3  HG165S-5型六位数控衰减器芯片 

 HG165S-5型DC-20GHz六位数控衰减器芯片

该芯片的衰减精度均方根已低至0.2dB，插入损耗为4.5dB，集成控制驱动功能。

尺寸为2mm×1.11mm×0.1mm。

衰减精度均方根 

插入损耗

图4  HG166SB-1 型六位数控衰减器芯片 

HG166SB-1型DC-6GHz六位数控衰减器芯片 

该芯片的衰减精度均方根已低至0.25dB，插入损耗低至1.5dB，集成控制驱动功能。

尺寸为1.83mm×1.04mm×0.1mm。

插入损耗

图5 HG125KA-1型反射式单刀双掷开关

HG125KA-1型DC～12GHz反射式单刀双掷开关芯片

该芯片插入损耗小于0.9dB，隔离度高达50dB。

尺寸为1.28mm×1.26mm×0.1mm。